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发明

底部钉扎SOT-MRAM位结构和制造方法

2023-06-11 13:31:45 发布于四川 3
  • 申请专利号：CN202110249003.9
  • 公开（公告）日：2025-03-28
  • 公开（公告）号：CN112992214A
  • 申请人：桑迪士克科技股份有限公司
摘要：本公开的实施例总体上涉及数据储存和计算机存储系统，更具体地涉及SOT‑MRAM芯片结构。SOT‑MRAM芯片结构包括多个引线、多个存储器单元以及多个晶体管。引线可以由具有大自旋‑轨道耦合强度和高电阻率的材料制成。每个单独的引线可包括多个第一部分和与第一部分区分开的多个第二部分。第二部分的电阻率小于第一部分的电阻率，所以引线的总电阻率减小，导致改进的功率效率和信噪比。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112992214 A (43)申请公布日 2021.06.18 (21)申请号 202110249003.9 H01L 27/22 (2006.01) (22)申请日 2016.10.24 (30)优先权数据 14/920,853 2015.10.22 US (62)分案原申请数据 201610939473.7 2016.10.24 (71)申请人 西部数据技术公司 地址 美国加利福尼亚州 (72)发明人 P.M.布拉干萨　H-W.曾　L.万　 (74)专利代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 邱军 (51)Int.Cl. G11C 11/16 (2006.01) G11C 11/18 (2006.01) 权利要求书1页 说明书7页 附图13页 (54)发明名称 底部钉扎SOT-MRAM位结构和制造方法 (57)摘要 本公开的实施例总体上涉及数据储存和计 算机存储系统，更具体地涉及SOT‑MRAM芯片结 构。SOT‑MRAM芯片结构包括多个引线、多个存储 器单元以及多个晶体管。引线可以由具有大自 旋‑轨道耦合强度和高电阻率的材料制成。每个 单独的引线可包括多个第一部分和与第一部分 区分开的多个第二部分。第二部分的电阻率小于 第一部分的电阻率，所以引线的总电阻率减小， 导致改进的功率效率和信噪比。 A 4 1 2 2 9 9 2 1 1 N C

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