操作存储器装置的方法、半导体装置和数据恢复方法2024

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117636979 A (43)申请公布日 2024.03.01 (21)申请号 202311058578.8 G11C 16/08 (2006.01) (22)申请日 2023.08.22 (30)优先权数据 10-2022-0106203 2022.08.24 KR (71)申请人 三星电子株式会社 地址 韩国京畿道 (72)发明人 吴承俊　李晟键　金大原　李庚德　 千允洙　 (74)专利代理机构 北京天昊联合知识产权代理 有限公司 11112 专利代理师 赵南　李竞飞 (51)Int.Cl. G11C 16/26 (2006.01) G11C 16/34 (2006.01) G11C 29/42 (2006.01) 权利要求书3页 说明书16页 附图14页 (54)发明名称 操作存储器装置的方法、半导体装置和数据 恢复方法 (57)摘要 提供操作存储器装置的方法、半导体装置和 数据恢复方法。操作存储器装置的方法包括：利 用读取电压从第一存储器块读取其中包含至少 一个磨损存储器单元的存储器单元的第一页；以 及利用读取电压读取在第一存储器块中邻近于 第一页延伸的存储器单元的第二页。执行操作以 确定第一页中的包括“0”比特的列的位置与第二 页中的包括“0”比特的列的位置之间的匹配率。 此后，当匹配率超过阈值匹配率时，通过调整