优化光刻工艺窗口的方法、系统、计算机设备及存储介质2024

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117908334 A (43)申请公布日 2024.04.19 (21)申请号 202311610359.6 (22)申请日 2023.11.29 (71)申请人 东方晶源微电子科技（北京）股份有 限公司 地址 100176 北京市大兴区北京经济技术 开发区经海四路156号院12号楼 (72)发明人 王语彤　 (74)专利代理机构 深圳市智享知识产权代理有 限公司 44361 专利代理师 冯彬彬 (51)Int.Cl. G03F 7/20 (2006.01) 权利要求书2页 说明书8页 附图5页 (54)发明名称 优化光刻工艺窗口的方法、系统、计算机设 备及存储介质 (57)摘要 本发明涉及光刻技术领域，特别涉及一种优 化光刻工艺窗口的方法、系统、计算机设备及存 储介质，方法包括：获取掩膜版图，基于预设工艺 窗口对掩膜版图进行仿真，得到晶圆表面的光刻 胶曝光轮廓；根据预设条件，对光刻胶曝光轮廓 的关键尺寸进行缺陷检测得到缺陷信息；根据缺 陷信息，计算得到掩膜版图每个区域的最佳聚焦 值以及能量补偿值；根据最佳聚焦值以及能量补 偿值得到掩膜版图优化后的工艺窗口。本发明通 过仿真的方式来检测淹没版图上的曝光轮廓缺 陷，基于算法提前计算不同工艺窗口条件下曝光 A 所带来的缺陷，根据缺陷找出最佳的曝光条件并 4 优化工艺窗口，可提前规避缺陷，使最终获得的 3 3 8 产品良率更高。 0 9 7