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PCT发明

单晶金微片、其制造方法和包含其的装置2024

2024-02-15 07:09:38 发布于四川 1
  • 申请专利号：CN202280042212.9
  • 公开（公告）日：2024-02-06
  • 公开（公告）号：CN117529447A
  • 申请人：本-古里安大学B.G.内盖夫技术和应用公司
摘要：本发明公开了一种传感器。该传感器包括基板和附着至基板的金图案，其中金图案由多个重复单元制成，每个单元由至少一条宽度为100至500nm、长度为1至50μm的线制成，并且其中两个相邻单元之间的第一距离为50至1000nm，以及其中图案中的所有线都源自单晶金，因此，相对于基板具有相同的晶体学取向。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117529447 A (43)申请公布日 2024.02.06 (21)申请号 202280042212.9 (74)专利代理机构 北京纪凯知识产权代理有限 公司 11245 (22)申请日 2022.04.19 专利代理师 张全信 (30)优先权数据 (51)Int.Cl . 63/176,407 2021.04.19 US B82Y 15/00 (2006.01) (85)PCT国际申请进入国家阶段日 2023.12.13 (86)PCT国际申请的申请数据 PCT/IL2022/050409 2022.04.19 (87)PCT国际申请的公布数据 WO2022/224255 EN 2022.10.27 (71)申请人 本-古里安大学B.G.内盖夫技术和 应用公司 地址 以色列，比尔舒华 (72)发明人 M ·Y ·巴舒提　 权利要求书2页 说明书15页 附图31页 (54)发明名称 单晶金微片、其制造方法和包含其的装置 (57)摘要

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