一种MEMS应力隔离封装结构及其制造方法2023

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 110745772 A (43)申请公布日 2020.02.04 (21)申请号 201911000389.9 (22)申请日 2019.10.21 (71)申请人 重庆大学 地址 400030 重庆市沙坪坝区沙正街174号 (72)发明人 陈李　宋凤民　贾青青　张志强　 徐溢　 (74)专利代理机构 重庆华科专利事务所 50123 代理人 康海燕 (51)Int.Cl. B81B 7/00(2006.01) B81C 1/00(2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图3页 (54)发明名称 一种MEMS应力隔离封装结构及其制造方法 (57)摘要 本发明公开一种MEMS应力隔离封装结构及 制造方法，包括MEMS芯片、应力隔离结构、封装管 壳及引线。所述应力隔离结构包括MEMS芯片基 座、平面波纹结构、连接结构和支撑框架结构； MEMS芯片基座位于应力隔离结构中心位置；平面 波纹结构上下表面均具有连续的V形槽，分布在 MEMS芯片基座边缘到连接结构之间，其正面的V 形槽和背面的V形槽呈嵌套式分布，构成平面波 纹形状。所述连接结构与支撑框架连接；所述支 撑框架与管壳之间通过粘胶粘接；所述MEMS芯片 粘接在MEMS芯片基座上，MEMS芯片焊盘通过引线 实现与管针的电气连接。本发明的应力隔离结构 A 通用性好，可以适合多种MEMS芯片的应力