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PCT发明

用于在半导体材料的衬底晶圆上沉积外延层的方法和设备

2023-07-03 10:01:46 发布于四川 1
  • 申请专利号：CN202180067105.7
  • 公开（公告）日：2025-07-11
  • 公开（公告）号：CN116368261A
  • 申请人：硅电子股份公司
摘要：本发明涉及用于在由半导体材料制成的衬底晶圆上沉积外延层的方法和设备，该衬底晶圆具有楔形横截面，该楔形横截面具有较薄边缘和较厚边缘。该方法包括：在沉积设备中布置衬底晶圆和基座，使得衬底晶圆同心地搁置在基座上并且基座由支撑轴保持；使支撑轴旋转一定的时间段；使沉积气体在从气体入口到气体出口的方向上在衬底晶圆的上方通过；使冲刷气体以一定的流速沿着预热环的下侧和基座的下侧通过；使支撑轴沿着在从初始位置开始到最终位置并返回到初始位置的方向上的位移路径移动所述一定的时间段，其中在该初始位置，较薄边缘与气体入口相距最小距离，并且在该最终位置，较薄边缘与气体入口相距最大距离。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116368261 A (43)申请公布日 2023.06.30 (21)申请号 202180067105.7 (74)专利代理机构 永新专利商标代理有限公司 72002 (22)申请日 2021.09.20 专利代理师 王永建 (30)优先权数据 (51)Int.Cl . 20199291.4 2020.09.30 EP C23C 16/458 (2006.01) (85)PCT国际申请进入国家阶段日 2023.03.30 (86)PCT国际申请的申请数据 PCT/EP2021/075795 2021.09.20 (87)PCT国际申请的公布数据 WO2022/069283 DE 2022.04.07 (71)申请人 硅电子股份公司 地址 德国慕尼黑 (72)发明人 T ·施泰特纳　W ·埃德迈尔　 权利要求书1页 说明书5页 附图3页 (54)发明名称 用于在半导体材料的衬底晶圆上沉积外延 层的方法和设备 (57)摘要 本发明涉及用于在由半导体材料

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