存储器装置的操作方法、存储器装置、设备及存储介质2024

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117198362 A (43)申请公布日 2023.12.08 (21)申请号 202311125480.X (22)申请日 2023.09.01 (71)申请人 厦门半导体工业技术研发有限公司 地址 361024 福建省厦门市火炬高新区软 件园三期诚毅北大街56号10层1001-1 单元 (72)发明人 陈昱煌　刘美冬　陈瑞隆　黄天辉　 邱泰玮　 (74)专利代理机构 北京乐知新创知识产权代理 事务所(普通合伙) 11734 专利代理师 秦然 (51)Int.Cl. G11C 13/00 (2006.01) G11C 7/12 (2006.01) G11C 8/08 (2006.01) 权利要求书2页 说明书9页 附图5页 (54)发明名称 存储器装置的操作方法、存储器装置、设备 及存储介质 (57)摘要 本公开提供了一种存储器装置的操作方法、 存储器装置、设备及存储介质，其中，所述存储器 装置的操作方法，包括：提供半导体器件，所述半 导体器件包括：衬底，位于所述衬底内的深N阱 区，和位于所述深N阱区内的P阱区，以及位于所 述P阱区中的多个晶体管结构，所述晶体管结构 包括栅极，以为分别位于所述栅极两侧的源极和 漏极；对所述栅极的端口施加第一电压，对所述 深N阱区的端口施加第二电压，以及对所述P阱区 的端口施加第三电压；其中，当执行第一操作