发明

IGZO基板用剥离液组合物、其制备方法及半导体器件2024

2024-03-31 07:27:33 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202311057833.7
  • 公开(公告)日:2024-03-29
  • 公开(公告)号:CN117784538A
  • 申请人:易安爱富科技有限公司
摘要:本发明涉及一种用于剥离IGZO基板的光刻胶的组合物、其制备方法及半导体器件。根据本发明,可以防止IGZO基板的腐蚀,并且可以改善光刻胶剥离性能。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117784538 A (43)申请公布日 2024.03.29 (21)申请号 202311057833.7 (22)申请日 2023.08.22 (30)优先权数据 10-2022-0124081 2022.09.29 KR (71)申请人 易安爱富科技有限公司 地址 韩国京畿道 (72)发明人 金世训 曹长佑 朴峻贤 朴钟模  沈何频 尹俊植 李承恩 李东训  (74)专利代理机构 成都超凡明远知识产权代理 有限公司 51258 专利代理师 洪玉姬 (51)Int.Cl. G03F 7/42 (2006.01) 权利要求书2页 说明书11页 (54)发明名称 IGZO基板用剥离液组合物、其制备方法及半 导体器件 (57)摘要 本发明涉及一种用于剥离IGZO基板的光刻 胶的组合物、其制备方法及半导体器件。根据本 发明,可以防止IGZO基板的腐蚀,并且可以改善 光刻胶剥离性能。 A 8 3 5 4 8 7 7 1 1 N C CN 117784538 A 权 利 要 求 书 1/2页 1.一种IGZO基板用剥离液组合物,其中, 包含: 两种以上的有机溶剂,以及 以化学式1或化学式2表示的胺化合物; [化学式1] R ‑NH 1 2

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