发明

键合方法和键合结构

2023-06-02 12:12:17 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN201910844589.6
  • 公开(公告)日:2024-07-16
  • 公开(公告)号:CN112456436A
  • 申请人:上海新微技术研发中心有限公司
摘要:本申请提供一种键合方法和键合结构,该键合方法包括:在第二基片的表面形成由导电材料形成的导电连接柱;在第一基片的表面形成由键合胶形成的键合胶图形,所述键合胶图形具有凹陷部,所述第一基片的部分表面从所述凹陷部露出,所述凹陷部的位置与所述导电连接柱对应,所述凹陷部的横向尺寸大于所述导电连接柱的横向尺寸,所述键合胶图形的厚度大于所述导电连接柱的厚度;以及将所述导电连接柱与所述凹陷部对准,在预定的温度条件下,对所述第一基片和所述第二基片施加预定的压力,使所述第一基片与所述第二基片通过所述键合胶图形键合为一体,并且,所述导电连接柱与所述第一基片的从所述凹陷部露出的所述部分表面接触。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112456436 A (43)申请公布日 2021.03.09 (21)申请号 201910844589.6 (22)申请日 2019.09.06 (71)申请人 上海新微技术研发中心有限公司 地址 201800 上海市嘉定区城北路235号1 号楼 (72)发明人 丁刘胜 王诗男  (74)专利代理机构 北京知元同创知识产权代理 事务所(普通合伙) 11535 代理人 刘元霞 (51)Int.Cl. B81C 3/00(2006.01) B81B 7/00(2006.01) B81B 7/02(2006.01) 权利要求书2页 说明书5页 附图2页 (54)发明名称 键合方法和键合结构 (57)摘要 本申请提供一种键合方法和键合结构,该键 合方法包括:在第二基片的表面形成由导电材料 形成的导电连接柱;在第一基片的表面形成由键 合胶形成的键合胶图形,所述键合胶图形具有凹 陷部,所述第一基片的部分表面从所述凹陷部露 出,所述凹陷部的位置与所述导电连接柱对应, 所述凹陷部的横向尺寸大于所述导电连接柱的 横向尺寸,所述键合胶图形的厚度大于所述导电 连接柱的厚度;以及将所述导电连接柱与所述凹 陷部对准,在预定的温度条件下,对所述第一基 片和所述第二基片施加预定的压力,使所述第一 基片与所述第二基片通过所述键合

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