发明

一种化学气相沉积热辐射晶圆控温承载基座2025

2023-12-08 07:14:21 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202311134900.0
  • 公开(公告)日:2025-07-29
  • 公开(公告)号:CN117144335A
  • 申请人:赛光半导体科技(苏州)有限公司
摘要:本发明公开了一种化学气相沉积热辐射晶圆控温承载基座,涉及晶圆薄膜淀积技术领域,包括晶圆承载凸台板,晶圆承载凸台板的顶部设置有陶瓷多孔底板,晶圆承载凸台板顶部的凸台与陶瓷多孔底板贯穿相通,晶圆承载凸台板顶部开凿有四个沉孔,沉孔的内部均嵌装有台阶套,所述陶瓷多孔底板的上方设有支撑臂,该材料还具有高温时抗氧化性能优越,耐骤冷骤热,确保了在工艺过程中的工作稳定性,故使用陶瓷材料以及有氮化硅膜的晶圆承载平台,能够确保其在化学气相沉积中,具有良好的物理性能、化学性能,确保了工艺过程中,激活的反应物在高温中进行氧化、还原、沉积等化学反应时的稳定性,同时在热量传递时的材料稳定性。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117144335 A (43)申请公布日 2023.12.01 (21)申请号 202311134900.0 (22)申请日 2023.09.05 (71)申请人 赛光半导体科技(苏州)有限公司 地址 215300 江苏省苏州市昆山市周市镇 金茂路900号4号房 (72)发明人 徐卫星  (74)专利代理机构 深圳众邦专利代理有限公司 44545 专利代理师 赵丽丽 (51)Int.Cl. C23C 16/458 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图8页 (54)发明名称 一种化学气相沉积热辐射晶圆控温承载基 座 (57)摘要 本发明公开了一种化学气相沉积热辐射晶 圆控温承载基座,涉及晶圆薄膜淀积技术领域, 包括晶圆承载凸台板,晶圆承载凸台板的顶部设 置有陶瓷多孔底板,晶圆承载凸台板顶部的凸台 与陶瓷多孔底板贯穿相通,晶圆承载凸台板顶部 开凿有四个沉孔,沉孔的内部均嵌装有台阶套, 所述陶瓷多孔底板的上方设有支撑臂,该材料还 具有高温时抗氧化性能优越,耐骤冷骤热,确保 了在工艺过程中的工作稳定性,故使用陶瓷材料 以及有氮化硅膜的晶圆承载平台,能够确保其在 化学气相沉积中,具有良好的物理性能、化学性 A 能,确保了工艺过程中,激活的反应物在高温中 5 进行氧化、还原、沉积等化学反应时的稳定性,同 3 3 4 时在热量传递时的材料稳定性。 4 1 7 1 1 N C CN 1171443

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