碳化硅晶体生长方法和长晶装置2024

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116815319 A (43)申请公布日 2023.09.29 (21)申请号 202310770372.1 (22)申请日 2023.06.27 (71)申请人 通威微电子有限公司 地址 610299 四川省成都市双流区成都芯 谷产业园区集中区内 (72)发明人 杨光宇　 (74)专利代理机构 北京超凡宏宇知识产权代理 有限公司 11463 专利代理师 曹灿 (51)Int.Cl. C30B 29/36 (2006.01) C30B 23/00 (2006.01) 权利要求书2页 说明书7页 附图3页 (54)发明名称 碳化硅晶体生长方法和长晶装置 (57)摘要 本发明的实施例提供了一种碳化硅晶体生 长方法和长晶装置涉及半导体及时领域。碳化硅 晶体生长方法包括以下步骤：(1)组装阶段；(2) 除杂升温阶段；(3)形核阶段：根据第一温度传感 器和第二温度传感器的温度得到坩埚顶部的边 缘与中心的实际温差；依据实际温差和第一预设 温差范围控制修饰加热器向着远离坩埚或靠近 坩埚的方向移动，以使坩埚顶部的中心与边缘的 实际温差在第一温差预设范围内，且使坩埚顶部 中心的温度低于边缘的温度，让碳化硅原料气相 传输至籽晶处形核；(4)生长阶段。其能够在形核 阶段更好地调节籽晶区环形温场，以提高了晶体 A 生长质量与生长速率。 9 1 3 5 1 8 6 1 1 N C CN 116815319