发明

一种双压电薄膜压电超声换能器及其制备方法2024

2024-04-16 07:22:14 发布于四川 1
  • 申请专利号:CN202311860373.1
  • 公开(公告)日:2024-04-12
  • 公开(公告)号:CN117861984A
  • 申请人:上海大学
摘要:一种双压电薄膜压电超声换能器,包括自下而上依次层叠的衬底、种子层、底部电极层、顶部电极层、绝缘层和引线层,所述衬底自下而上包括底硅层、埋氧层和结构硅层,该衬底的中心开设有空腔,该空腔由所述底硅层截止到埋氧层,并在所述结构硅层呈圆弧状;在所述底部电极层和顶部电极层之间自下而上设有第一压电层和第二压电层,所述第一压电层可确保第二压电层生长的高c轴取向,从而使在相同激励电压下,双层压电层具备更高动态振幅。本发明结合利用应力优化器件性能的方法,有效提升了器件的动态振幅,且具有双层压电薄膜,在同电压激励下其压电响应大于单层压电薄膜的器件,通过在工艺过程中调节薄膜应力优化机电耦合系数。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117861984 A (43)申请公布日 2024.04.12 (21)申请号 202311860373.1 (22)申请日 2023.12.31 (71)申请人 上海大学 地址 200444 上海市宝山区上大路99号 (72)发明人 邓光政 张嵩松 吕昊宸  (74)专利代理机构 上海恒慧知识产权代理事务 所(特殊普通合伙) 31317 专利代理师 张宁展 (51)Int.Cl. B06B 1/06 (2006.01) 权利要求书2页 说明书4页 附图4页 (54)发明名称 一种双压电薄膜压电超声换能器及其制备 方法 (57)摘要 一种双压电薄膜压电超声换能器,包括自下 而上依次层叠的衬底、种子层、底部电极层、顶部 电极层、绝缘层和引线层,所述衬底自下而上包 括底硅层、埋氧层和结构硅层,该衬底的中心开 设有空腔,该空腔由所述底硅层截止到埋氧层, 并在所述结构硅层呈圆弧状;在所述底部电极层 和顶部电极层之间自下而上设有第一压电层和 第二压电层,所述第一压电层可确保第二压电层 生长的高c轴取向,从而使在相同激励电压下,双 层压电层具备更高动态振幅。本发明结合利用应 力优化器件性能的方法,有效提升了器件的动态 A 振幅,且具有双层压电薄膜,在同电压激励下其 4 压电响应大于单层压电薄膜的器件,通过在工艺 8 9 1 过程中调节薄膜应力优化机电耦合系数。 6 8 7 1 1 N C CN 117861984 A

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