改善套刻精度的方法以及半导体制造设备2024

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117908337 A (43)申请公布日 2024.04.19 (21)申请号 202410224373.0 (22)申请日 2024.02.28 (71)申请人 上海华力微电子有限公司 地址 201314 上海市浦东新区良腾路6号 (72)发明人 钱睿　秦凌雁　王福顺　 (74)专利代理机构 上海思捷知识产权代理有限 公司 31295 专利代理师 卢云芊 (51)Int.Cl. G03F 7/20 (2006.01) G03F 7/16 (2006.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图4页 (54)发明名称 改善套刻精度的方法以及半导体制造设备 (57)摘要 本发明提供一种改善套刻精度的方法以及 半导体制造设备，改善套刻精度的方法包括：在 完成光刻胶喷涂后，对晶圆的背面进行改性处 理，以使得晶圆的背面由亲水性改性为疏水性。 如此配置，通过对完成光刻胶喷涂的晶圆的背面 进行改性处理，由亲水性改性为疏水性，降低了 晶圆的背面的表面自由能，使得表面张力减小， 接触角变大，界面分子间作用力减小，极性降低， 从而降低了晶圆的背面与载台之间的摩擦力，提 升了曝光机的套刻精度。 A 7 3 3 8 0 9 7 1 1 N C CN 117908337 A 权　利　要　求　书 1/1页 1.一种改善套刻精度的方法，其特征