用于执行极紫外光刻工艺的系统和方法

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113267963 A (43)申请公布日 2021.08.17 (21)申请号 202110495908.4 (22)申请日 2021.05.07 (30)优先权数据 63/021,478 2020.05.07 US 17/193,827 2021.03.05 US (71)申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 地址 中国台湾新竹 (72)发明人 陈泰佑　克夏格　刘国安　谢劼　 简上杰　张广兴　林启德　陈立锐　 刘恒信　吴忠纬　吴志强　 (74)专利代理机构 北京德恒律治知识产权代理 有限公司 11409 代理人 章社杲　李伟 (51)Int.Cl. G03F 7/20 (2006.01) 权利要求书2页 说明书18页 附图15页 (54)发明名称 用于执行极紫外光刻工艺的系统和方法 (57)摘要 光刻系统利用锡滴生成用于光刻的极紫外 辐射。光刻系统用激光照射液滴。液滴变成等离 子体，并发出极紫外辐射。光刻系统检测锡滴对 聚光镜的污染，并调节缓冲流体的流量以减少污 染。本申请的实施例提供了用于执行极紫外光刻 工艺的系统和方法。 A 3 6 9 7 6 2 3 1 1 N C CN 113267963 A 权　利　要　求　书 1/2页