清洁方法、形成半导体结构的方法及其系统

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112578643 A (43)申请公布日 2021.03.30 (21)申请号 202011054850.1 G03F 1/24 (2012.01) (22)申请日 2020.09.28 (30)优先权数据 62/907,963 2019.09.30 US 16/943,881 2020.07.30 US (71)申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 地址 中国台湾新竹市新竹科学工业园力行 六路8号 (72)发明人 柯武宏　林重宏　温志伟　 (74)专利代理机构 北京律盟知识产权代理有限 责任公司 11287 代理人 李春秀 (51)Int.Cl. G03F 7/20 (2006.01) G03F 1/82 (2012.01) 权利要求书1页 说明书10页 附图9页 (54)发明名称 清洁方法、形成半导体结构的方法及其系统 (57)摘要 本发明实施例涉及清洁方法、形成半导体结 构的方法及其系统。提供一种用于清洁反射光罩 的方法。所述方法包含：将所述反射光罩放置于 室中；将氢自由基提供到所述室；及将所述反射 光罩暴露于所述氢自由基。还提供一种制造半导 体结构的方法及一种形成半导体结构的系统。 A 3 4 6 8 7 5 2 1 1 N C CN 112578643 A 权　利