存储控制芯片、固态硬盘和闪存读电压确定方法

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116564391 A (43)申请公布日 2023.08.08 (21)申请号 202310270581.X (22)申请日 2023.03.17 (71)申请人 平头哥 （上海）半导体技术有限公司 地址 201208 上海市浦东新区中国 （上海） 自由贸易试验区上科路366号、川和路 55弄2号5层 (72)发明人 张睦　张杨　王大勇　李威　 (74)专利代理机构 北京合智同创知识产权代理 有限公司 11545 专利代理师 李杰　闫喜鹏 (51)Int.Cl. G11C 16/26 (2006.01) G11C 16/34 (2006.01) G06F 3/06 (2006.01) 权利要求书2页 说明书14页 附图5页 (54)发明名称 存储控制芯片、固态硬盘和闪存读电压确定 方法 (57)摘要 本申请实施例提供了一种存储控制芯片、固 态硬盘和闪存读电压确定方法，该存储控制芯片 包括：读取单元，用于通过n个读电压对位于闪存 芯片中同一存储页包括的各存储单元进行读取， 获得所述存储单元在所述n个读电压下的读取 值，其中，n为大于或等于3的正整数 ；求和单元， 用于将为第一数值的读取值转换为十进制数1， 并将为第二数值的读取值转换为十进制数0，对 所述存储单元在各所述读电压下的读取值对应 的十进制数求和，获得该存储单元对应的求和 值；定位单元，用于根据所述n个读电压和所述存 A