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用于紧凑的和高数据存储电子器件的基于单个纳米颗粒的非易失性存储系统

2023-06-14 13:10:06 发布于四川 0

申请专利号：CN201980074725.6
公开（公告）日：2021-07-23
公开（公告）号：CN113165867A
申请人：哈利法科技大学

摘要：提供有一种纳米存储系统的结构。所公开的单位纳米存储单元包括布置在半导体衬底(301)的表面上的单个隔离的纳米颗粒以及相邻的纳米‑肖特基接触(303)。纳米颗粒用作存储位置，在该存储位置处纳米‑肖特基接触(303)在相对小的电压下用作电子的进或出半导体衬底(301)的源或漏。可以通过对纳米颗粒充电或放电而打开(读数1)或关闭(读数0)通过纳米‑肖特基接触(303)的电流。由于电接触是由衬底(301)的背接触和表面上的纳米‑肖特基接触(303)形成的，并且电荷被存储在非常小的纳米颗粒中，因此这允许获得最终的器件的缩小。这也将显著增加芯片上的纳米存储单元的数量。此外，由于小的纳米‑肖特基接触(301)以及用于存储电荷的纳米颗粒的小的尺寸，充电和放电(写/擦除)以及读电压比基于CMOS的闪存单元所需的小。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113165867 A (43)申请公布日 2021.07.23 (21)申请号 201980074725.6 (74)专利代理机构中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 (22)申请日 2019.11.13 代理人於菪珉 (30)优先权数据 (51)Int.Cl. 62/760,412 2018.11.13 US B82Y 10/00 (2006.01) (85)PCT国际申请进入国家阶段日 H01L 21/28 (2006.01) 2021.05.13 H01L 29/423 (2006.01) (86)PCT国际申请的申请数据 H01L 29/66 (2006.01) PCT/IB2019/059736 2019.11.13 H01L 29/872 (2006.01) (87)PCT国际申请的公布数据 WO2020/100051 EN 2020.05.22

用于紧凑的和高数据存储电子器件的基于单个纳米颗粒的非易失性存储系统

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