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发明

一种半导电缓冲层材料及其制备方法和应用2025

2024-01-08 07:13:23 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202311177188.2
  • 公开（公告）日：2025-07-18
  • 公开（公告）号：CN117343475A
  • 申请人：长缆科技集团股份有限公司|||北京智慧能源研究院|||国网冀北电力有限公司电力科学研究院
摘要：本发明提供了一种半导电缓冲层材料及其制备方法和应用。根据本发明的半导电缓冲层材料，所述半导电缓冲层材料的制备原料包括：基体树脂、柔性树脂、酸酐类固化剂、胺类促进剂、导电填料和聚硫橡胶，该半导电缓冲层材料在韧性得到改善的同时又保持了强度，在低温环境下，材料的韧性较好且不发生开裂，在高低温循环过程中，用于绝缘主体‑金属外壳之间时，材料能够避免缓冲层热胀冷缩时对绝缘主体造成的损伤。本发明还提供了半导电缓冲层材料的制备方法和应用。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117343475 A (43)申请公布日 2024.01.05 (21)申请号 202311177188.2 (51)Int.Cl . C08L 63/00 (2006.01) (22)申请日 2023.09.13 C08L 81/04 (2006.01) (71)申请人 长缆电工科技股份有限公司 C08K 3/04 (2006.01) 地址 410205 湖南省长沙市高新开发区麓 谷工业园桐梓坡西路223号 申请人 北京智慧能源研究院　 国网冀北电力有限公司电力科学研 究院 (72)发明人 俞涛　谢仕林　黄琪　彭勇　 沈俊才　张佳庆　周海　郝玉义　 李震宇　尹立　卢毅　杨威　 高岩峰　乔健　 (74)专利代理机构 广州嘉权专利商标事务所有 限公司 44205 专利代理师 马俊 权利要求书1页 说明书12页 (54)发明名称 一种半导电缓冲层材料及其制备方法和应 用 (57)摘要 本发明提供了一种半导电缓冲层材料及其 制备方法和应用。根据本发明的半导电缓冲层材 料，所述半导

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