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PCT发明

互补金属氧化物-半导体和MEMS传感器的异质集成

2023-07-03 11:00:05 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202080027511.6
  • 公开（公告）日：2025-01-03
  • 公开（公告）号：CN113767063A
  • 申请人：迈瑞迪创新科技有限公司
摘要：公开了与MEMS区微机电系统(MEMS)组件集成的互补金属氧化物半导体(CMOS)器件。所述MEMS组件例如是红外(IR)热传感器。所述MEMS传感器异质集成在CMOS器件上。例如，将具有CMOS器件和互连件以及经过部分处理的MEMS组件的CMOS晶片与具有MEMS结构的MEMS晶片键合，缓解后CMOS兼容性问题。用于完成所述器件的后集成工艺包括形成用于将传感器互连到CMOS组件的接触件，以及采用晶圆级真空封装用盖晶片封装所述器件。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113767063 A (43)申请公布日 2021.12.07 (21)申请号 202080027511.6 (74)专利代理机构 深圳市德锦知识产权代理有 限公司 44352 (22)申请日 2020.04.01 代理人 陈永晔 (30)优先权数据 (51)Int.Cl. 62/827,207 2019.04.01 US B81C 1/00 (2006.01) (85)PCT国际申请进入国家阶段日 2021.10.08 (86)PCT国际申请的申请数据 PCT/SG2020/050202 2020.04.01 (87)PCT国际申请的公布数据 WO2020/204834 EN 2020.10.08 (71)申请人 迈瑞迪创新科技有限公司 地址 新加坡新加坡创业道2号愿景交流大 厦11-08号 (72)发明人 洪婉嘉　彼得 ·科普尼奇　 权利要求书2页 说明书17页 附图24页 伊凯 ·安德 ·奥贾克

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