一种应用于电容去离子的铁钴金属间化合物的构筑方法2025

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117845084 A (43)申请公布日 2024.04.09 (21)申请号 202410024053.0 (22)申请日 2024.01.08 (71)申请人 齐齐哈尔大学 地址 161006 黑龙江省齐齐哈尔市建华区 文化大街42号 (72)发明人 李金龙　程宝昌　郭东轩　柴东凤　 (51)Int.Cl. C22C 1/047 (2023.01) C02F 1/469 (2023.01) 权利要求书1页 说明书2页 附图2页 (54)发明名称 一种应用于电容去离子的铁钴金属间化合 物的构筑方法 (57)摘要 本发明涉及一种应用于电容去离子的铁钴 金属间化合物的构筑方法。本发明的目的为解决 现有金属间化合物合成过程中易被氧化和活性 位点较少的问题，提供一种高吸附性能的铁钴金 属间化合物的构筑方法。方法：以硝酸铁、硝酸 钴、聚乙烯吡咯烷酮和去离子水为原料，采用煅 烧法和液氮淬冷法，得到具有高吸附性能的铁钴 金属间化合物，为提高现有金属间化合物电容去 离子性能提供了一种构筑方法。 A 4 8 0 5 4 8 7 1 1 N C CN 117845084 A 权　利　要　求　书 1/1页 1.一种应用于电容去离子的铁钴金属间化合物的构筑方法，所述方法是按以下步骤完 成的： (1) 将聚乙烯吡咯烷酮加入去离子水中，常温下充分搅拌使其溶解，得到聚