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PCT发明

半导体传感器

2023-06-02 12:45:51 发布于四川 1
  • 申请专利号：CN202180058074.9
  • 公开（公告）日：2023-05-30
  • 公开（公告）号：CN116194404A
  • 申请人：株式会社村田制作所
摘要：半导体传感器(1)具备：绝缘基板(11)；半导体片(12)，配置在绝缘基板(11)上，包含石墨烯或者碳纳米管；源极电极(13)以及漏极电极(14)，配置在绝缘基板(11)上，与半导体片(12)电连接；氧化膜(15)，配置为覆盖半导体片(12)的表面，包含二氧化硅、矾土或者它们的复合氧化物；和受体(16)，配置在氧化膜(15)的表面。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116194404 A (43)申请公布日 2023.05.30 (21)申请号 202180058074.9 (74)专利代理机构 中科专利商标代理有限责任 公司 11021 (22)申请日 2021.08.17 专利代理师 刘慧群 (30)优先权数据 (51)Int.Cl . 2020-137504 2020.08.17 JP B82Y 10/00 (2006.01) (85)PCT国际申请进入国家阶段日 2023.02.02 (86)PCT国际申请的申请数据 PCT/JP2021/030004 2021.08.17 (87)PCT国际申请的公布数据 WO2022/039148 JA 2022.02.24 (71)申请人 株式会社村田制作所 地址 日本京都府 (72)发明人 宫川成人　牛场翔太　品川步　 冈优果　木村雅彦　 权利要求书1页 说明书10页 附图11页 (54)发明名称 半导体传感器 (57)摘要 半导体传感器(1)具备

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