半导体薄膜的加工方法、装置、系统和计算机设备
- 申请专利号:CN202310150187.2
- 公开(公告)日:2025-06-20
- 公开(公告)号:CN116288253A
- 申请人:浙江大学杭州国际科创中心
专利内容
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116288253 A (43)申请公布日 2023.06.23 (21)申请号 202310150187.2 (22)申请日 2023.02.09 (71)申请人 浙江大学杭州国际科创中心 地址 311200 浙江省杭州市萧山区经济技 术开发区建设三路733号 (72)发明人 韦丽明 盛况 任娜 徐弘毅 (74)专利代理机构 杭州华进联浙知识产权代理 有限公司 33250 专利代理师 何晓春 (51)Int.Cl. C23C 16/44 (2006.01) C23C 16/32 (2006.01) C23C 16/40 (2006.01) H01L 21/02 (2006.01) 权利要求书2页 说明书13页 附图4页 (54)发明名称 半导体薄膜的加工方法、装置、系统和计算 机设备 (57)摘要 上述半导体薄膜的加工方法、装置、系统和 计算机设备,基于预设厚度确定参考半导体薄膜 的第一加工模型;其中,所述参考半导体薄膜的 衬底片为硅片;基于所述预设厚度以及目标半导 体薄膜的第一预设衬底片数确定所述目标半导 体薄膜的第二加工模型 ;其中,所述目标半导体 薄膜的衬底片为碳化硅片;基于所述第一加工模 型以及第二加工模型确定目标加工模型;控制化 学气相沉积工艺设备基于所述目标加工模型对 所述目标半导体薄膜进行加工。上述方法,基于 第一加工模型和第二加工模型的关系,获取目标 A 加工模型,以准
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