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半导体薄膜的加工方法、装置、系统和计算机设备

2023-06-27 09:34:17 发布于四川 2
  • 申请专利号:CN202310150187.2
  • 公开(公告)日:2025-06-20
  • 公开(公告)号:CN116288253A
  • 申请人:浙江大学杭州国际科创中心
摘要:上述半导体薄膜的加工方法、装置、系统和计算机设备,基于预设厚度确定参考半导体薄膜的第一加工模型;其中,所述参考半导体薄膜的衬底片为硅片;基于所述预设厚度以及目标半导体薄膜的第一预设衬底片数确定所述目标半导体薄膜的第二加工模型;其中,所述目标半导体薄膜的衬底片为碳化硅片;基于所述第一加工模型以及第二加工模型确定目标加工模型;控制化学气相沉积工艺设备基于所述目标加工模型对所述目标半导体薄膜进行加工。上述方法,基于第一加工模型和第二加工模型的关系,获取目标加工模型,以准确度高的第一加工模型为基准,获取的目标加工模型能提升以碳化硅为衬底片的半导体薄膜加工的准确度并且缩短设备调试时间,节省调试成本。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116288253 A (43)申请公布日 2023.06.23 (21)申请号 202310150187.2 (22)申请日 2023.02.09 (71)申请人 浙江大学杭州国际科创中心 地址 311200 浙江省杭州市萧山区经济技 术开发区建设三路733号 (72)发明人 韦丽明 盛况 任娜 徐弘毅  (74)专利代理机构 杭州华进联浙知识产权代理 有限公司 33250 专利代理师 何晓春 (51)Int.Cl. C23C 16/44 (2006.01) C23C 16/32 (2006.01) C23C 16/40 (2006.01) H01L 21/02 (2006.01) 权利要求书2页 说明书13页 附图4页 (54)发明名称 半导体薄膜的加工方法、装置、系统和计算 机设备 (57)摘要 上述半导体薄膜的加工方法、装置、系统和 计算机设备,基于预设厚度确定参考半导体薄膜 的第一加工模型;其中,所述参考半导体薄膜的 衬底片为硅片;基于所述预设厚度以及目标半导 体薄膜的第一预设衬底片数确定所述目标半导 体薄膜的第二加工模型 ;其中,所述目标半导体 薄膜的衬底片为碳化硅片;基于所述第一加工模 型以及第二加工模型确定目标加工模型;控制化 学气相沉积工艺设备基于所述目标加工模型对 所述目标半导体薄膜进行加工。上述方法,基于 第一加工模型和第二加工模型的关系,获取目标 A 加工模型,以准

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