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深紫外荧光发射可调胶体氮化铝量子点及制备方法和应用2025

2024-03-02 07:34:26 发布于四川 5
  • 申请专利号:CN202311367541.3
  • 公开(公告)日:2025-07-04
  • 公开(公告)号:CN117585651A
  • 申请人:浙江大学
摘要:本发明公开一种深紫外荧光发射可调胶体氮化铝量子点及制备方法和应用。本发明采用卤化铝或者卤化铝和卤化镓的混合物作为胶体氮化铝量子点的反应前驱体,季胺型阳离子表面活性剂作为表面活性剂,氨还原制备均匀分散,颗粒均一的深紫外荧光发射且荧光发射可调的胶体氮化铝量子点。本发明成功制备出平均粒径约3.7nm左右,在深紫外波段表现出高量子产率的荧光发射的胶体氮化铝量子点;同时通过共掺杂的方式改变量子点带隙实现其荧光发射可调的优异性能。本发明实现的胶体氮化铝量子点与迄今位置报道的所有氮化铝晶体的合成方式都不相同。有希望在降低氮化铝晶体制备成本及难度的同时,提高胶体氮化铝量子点在多领域的应用。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117585651 A (43)申请公布日 2024.02.23 (21)申请号 202311367541.3 H01L 33/50 (2010.01) A01G 7/04 (2006.01) (22)申请日 2023.10.21 A61L 2/10 (2006.01) (71)申请人 浙江大学 A61N 5/06 (2006.01) 地址 310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘 路866号 (72)发明人 何赛灵 程潇羽 吴昊  (74)专利代理机构 杭州求是专利事务所有限公 司 33200 专利代理师 林松海 (51)Int.Cl. C01B 21/072 (2006.01) B82Y 40/00 (2011.01) B82Y 20/00 (2011.01) C09K 11/64 (2006.01) C09K 11/08 (2006.01) 权利要求书2页 说明书5页 附图3页 (54)发明名称 深紫外荧光发射可调胶体氮化铝量子点及 制备方法和应用 (57)摘要 本发明公

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