一种钠插层诱发高纯1T相二硫化钼固态储氢材料的制备方法2025

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117756180 A (43)申请公布日 2024.03.26 (21)申请号 202311555004.1 (22)申请日 2023.11.21 (71)申请人 西安工业大学 地址 710032 陕西省西安市新城区西安市 金花北路4号 (72)发明人 高勇　李超　李政隆　崔文岗　 杨亚雄　高帆　张明昌　潘洪革　 (74)专利代理机构 锦州辽西专利事务所(普通 合伙) 21225 专利代理师 王佳佳 (51)Int.Cl. C01G 39/06 (2006.01) C01B 3/00 (2006.01) 权利要求书1页 说明书8页 附图12页 (54)发明名称 一种钠插层诱发高纯1T相二硫化钼固态储 氢材料的制备方法 (57)摘要 一种钠插层诱发高纯1T相二硫化钼固态储 氢材料的制备方法，将钼酸铵、硫代乙酰铵和尿 素加入去离子水中搅拌均匀，得到前驱溶液；前 驱溶液转水热反应，然后快速冷却至室温，得到 粗产品溶液；将粗产品溶液置入4℃下冷藏保温， 离心处理，洗涤，保留固体物质MoS 初品；加入去 2 离子水，超声处理，得到MoS 去离子水分散液；将 2 Na SO 加入MoS 去离子水分散液中，用磁力搅拌 2 4 2 器充分搅拌，然后行离心、洗涤，超声处理，在烘 箱中进行真空下