设计图形坏点检测方法、光刻布线方法、系统及存储介质2024

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117369218 A (43)申请公布日 2024.01.09 (21)申请号 202311272905.X (22)申请日 2023.09.28 (71)申请人 东方晶源微电子科技（北京）股份有 限公司 地址 100176 北京市大兴区北京经济技术 开发区经海四路156号院12号楼 (72)发明人 张生睿　俞宗强　施伟杰　 (74)专利代理机构 深圳市智享知识产权代理有 限公司 44361 专利代理师 邹学琼 (51)Int.Cl. G03F 7/20 (2006.01) G06T 7/00 (2017.01) 权利要求书2页 说明书11页 附图6页 (54)发明名称 设计图形坏点检测方法、光刻布线方法、系 统及存储介质 (57)摘要 本发明涉及芯片设计领域，特别涉及一种设 计图形坏点检测方法、光刻布线方法、系统及存 储介质。设计图形坏点检测方法包括如下步骤： 提供设计图形，根据设计图形生成第一掩模版， 对第一掩模版进行仿真得到第一光刻胶轮廓；依 据光刻工艺训练神经网络模型，把设计图形作为 神经网络模型的输入，得到第二掩模版，通过第 二掩模版仿真得到第二光刻胶轮廓；检查第二光 刻胶轮廓和第一光刻胶轮廓的区别点；神经网络 模型重新采集区别点的设计图形数据，通过神经 网络模型得到新的第二光刻胶轮廓；检测新的第 A 二光刻胶轮廓存在的坏点，输出检测到的坏点。 8 通过神经网络模型极大提