发明

一种单宁酸@硫空缺硫化镉复合材料及其制备方法和应用2025

2024-02-15 07:48:01 发布于四川 4
  • 申请专利号:CN202311487987.X
  • 公开(公告)日:2025-09-19
  • 公开(公告)号:CN117548123A
  • 申请人:东莞理工学院
摘要:本发明涉及光催化材料技术领域,具体涉及一种单宁酸@硫空缺硫化镉复合材料及其制备方法和应用,本发明提供的制备方法,包括步骤:S1.制备基底催化剂;S2.单宁酸包覆基底催化剂;其通过在硫化镉中引入硫空缺,并在硫空缺硫化镉表面包覆单宁酸,其中的单宁酸只是负载在硫化镉基底催化剂表面,作为助催化剂的形式存在,而不改变催化剂本身的晶体结构,通过在硫化镉中引入硫空缺,对光的利用率随之提高,使得催化剂活性提高,同时通过包覆单宁酸,使光生载流子的复合受到抑制,从而使表面光生电子‑空穴对分离效率更高,使其具有更优良的催化活性,可更好地满足光催化应用需求,应用前景好。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117548123 A (43)申请公布日 2024.02.13 (21)申请号 202311487987.X C01B 15/01 (2006.01) (22)申请日 2023.11.09 (71)申请人 东莞理工学院 地址 523000 广东省东莞市松山湖科技产 业园区大学路1号 (72)发明人 党海峰 钟黄 李梦云 邱胡箫  伍猷亮  (74)专利代理机构 广东粤博专利商标代理事务 所(普通合伙) 44908 专利代理师 唐琴 (51)Int.Cl. B01J 27/04 (2006.01) B01J 31/02 (2006.01) B01J 35/53 (2024.01) B01J 35/39 (2024.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图3页 (54)发明名称 一种单宁酸@硫空缺硫化镉复合材料及其制 备方法和应用 (57)摘要 本发明涉及光催化材料技术领域,具体涉及 一种单宁酸@硫空缺硫化镉复合材料及其制备方 法和应用,本发明提供的制备方法,包括步骤: S1 .制备基底催化剂;S2 .单宁酸包覆基底催化 剂;其通过在硫化镉中引入硫空缺,并在硫空缺 硫化镉表面包覆单宁酸,其中的单宁酸只是负载 在硫化镉基底催化剂表面,作为助催化剂的形式 存在,而不改变催化剂本身的晶体结构,通过在 硫化镉中引入硫空

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