发明

光掩模钝化层制造方法

2023-05-10 10:18:53 发布于四川 1
  • 申请专利号:CN202310195889.2
  • 公开(公告)日:2024-09-17
  • 公开(公告)号:CN116047859A
  • 申请人:广州新锐光掩模科技有限公司
摘要:本申请提供一种光掩模钝化层制造方法,涉及光掩模的技术领域,其包括以下步骤:S1,获取晶圆结构;S2,将晶圆结构置于真空腔体中,向真空腔体中通入氧气和氯气,通过加载射频电源,产生氯离子基团对阻挡层、钝化层及金属层进行蚀刻,蚀刻出光刻图形的蚀刻窗口;S3,通过加载射频电源,产生氧离子基团与金属层被蚀刻出的侧边进行氧化反应,使得金属层被蚀刻出的侧边表面生成钝化层;S4,去除钝化层表面的阻挡层。通过氧离子基团和氯离子基团直接在干法蚀刻机台上,一次性完成晶圆结构的蚀刻及金属层表面钝化层的生成,进而省去了转移至Asher机台进行钝化层制作的工艺流程,摆脱了工艺流程的局限性,优化了制程,降低了工艺成本。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116047859 A (43)申请公布日 2023.05.02 (21)申请号 202310195889.2 (22)申请日 2023.03.02 (71)申请人 广州新锐光掩模科技有限公司 地址 510555 广东省广州市(中新广州知识 城)亿创街1号406房之518 (72)发明人 孙长杰 包忍 葛海鸣  (74)专利代理机构 北京清大紫荆知识产权代理 有限公司 11718 专利代理师 郑纯 黄贞君 (51)Int.Cl. G03F 1/80 (2012.01) 权利要求书2页 说明书5页 附图2页 (54)发明名称 光掩模钝化层制造方法 (57)摘要 本申请提供一种光掩模钝化层制造方法,涉 及光掩模的技术领域,其包括以下步骤:S1,获取 晶圆结构;S2,将晶圆结构置于真空腔体中,向真 空腔体中通入氧气和氯气,通过加载射频电源, 产生氯离子基团对阻挡层、钝化层及金属层进行 蚀刻,蚀刻出光刻图形的蚀刻窗口 ;S3,通过加载 射频电源,产生氧离子基团与金属层被蚀刻出的 侧边进行氧化反应,使得金属层被蚀刻出的侧边 表面生成钝化层;S4,去除钝化层表面的阻挡层。 通过氧离子基团和氯离子基团直接在干法蚀刻 机台上,一次性完成晶圆结构的蚀刻及金属层表 面钝化层的生成,进而省去了转移至Asher机台 A 进行钝化层制作的工艺流程,摆脱了工艺流程的 9 局限性,优化了制程,降低了工艺成本。 5 8 7 4 0 6 1 1

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