半导体存储装置及其标识方法

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114566198 A (43)申请公布日 2022.05.31 (21)申请号 202210202993.5 (22)申请日 2022.03.03 (71)申请人 长鑫存储技术有限公司 地址 230601 安徽省合肥市经济技术开发 区空港工业园兴业大道388号 (72)发明人 申世兴　丁楚凡　 (74)专利代理机构 北京律智知识产权代理有限 公司 11438 专利代理师 王辉 (51)Int.Cl. G11C 11/40 (2006.01) B23K 26/362 (2014.01) 权利要求书2页 说明书10页 附图7页 (54)发明名称 半导体存储装置及其标识方法 (57)摘要 本公开提供了一种半导体存储装置及其标 识方法，涉及半导体封装技术领域。该半导体存 储装置的标识方法包括：提供包括外围区的半导 体存储装置，在外围区上设置有外装构件，外装 构件上具有封装面；在封装面上形成记录层，并 将封装面划分为多个像素区域；外围区还设置有 控制器和预设的像素电路，通过控制器控制像素 电路中的像素电阻通电，使与通电后的像素电阻 对应的像素区域显色，以在记录层上形成具有特 定形状的标识。本公开通过设置在外围区的控制 器和像素电路，通过控制器控制像素电路中的像 素电阻通电发热，使得涂布在装置封装面上特定 A 区域的热敏材料显色，可在测试过程中完成对装 8 置标识的记录，提高了半导体装置的标识记录效 9 1 6 率。