发明

一种大带宽的阵列式超声换能器装置2024

2024-04-11 07:33:16 发布于四川 1
  • 申请专利号:CN202410105954.2
  • 公开(公告)日:2024-04-09
  • 公开(公告)号:CN117840017A
  • 申请人:华中科技大学|||觉芯电子(无锡)有限公司
摘要:本发明属于超声换能器技术领域。公开一种大带宽的阵列式超声换能器装置,包括:衬底;PMUT单元阵列,具有至少两个PMUT单元,多个PMUT单元围绕一轴心布置在衬底上以形成阵列,相邻两PMUT单元中心点间距被配置为第一间距以增强互阻抗,以及,多个背腔,开设在衬底远离PMUT单元一侧,每一背腔内具有一PMUT单元,多个所述背腔被配置为第一长度以增强阻抗。本发明能够实现在衬底上设置多个呈阵列布置的PMUT单元,使得PMUT单元之间通过声学路径相互作用产生互阻抗,互阻抗可以提供额外的声学阻尼,使得PMUT单元之间的互阻尼值增大,进而显著地增大带宽。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117840017 A (43)申请公布日 2024.04.09 (21)申请号 202410105954.2 (22)申请日 2024.01.25 (71)申请人 华中科技大学 地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路 1037号 申请人 觉芯电子(无锡)有限公司 (72)发明人 余洪斌 王岩 张峻宁 吕途南  熊笔锋  (74)专利代理机构 北京盛询知识产权代理有限 公司 11901 专利代理师 张永锋 (51)Int.Cl. B06B 1/06 (2006.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图5页 (54)发明名称 一种大带宽的阵列式超声换能器装置 (57)摘要 本发明属于超声换能器技术领域。公开一种 大带宽的阵列式超声换能器装置,包括:衬底; PMUT单元阵列,具有至少两个PMUT单元,多个 PMUT单元围绕一轴心布置在衬底上以形成阵列, 相邻两PMUT单元中心点间距被配置为第一间距 以增强互阻抗,以及,多个背腔,开设在衬底远离 PMUT单元一侧,每一背腔内具有一PMUT单元,多 个所述背腔被配置为第一长度以增强阻抗。本发 明能够实现在衬底上设置多个呈阵列布置的 PMUT单元,使得PMUT单元之间通过声学路径相互 作用产生互阻抗,互阻抗可以提供额外的声学阻 尼,使得PMUT单元之间的互阻尼值增大,进而显 A 著地增大带宽。 7 1 0 0 4 8 7 1

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