磷化钴纳米颗粒修饰的多孔碳膜电极的制备方法及其应用
- 申请专利号:CN202310301013.1
- 公开(公告)日:2025-05-27
- 公开(公告)号:CN116397251A
- 申请人:北方民族大学
专利内容
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116397251 A (43)申请公布日 2023.07.07 (21)申请号 202310301013.1 C01B 25/08 (2006.01) (22)申请日 2023.03.24 (71)申请人 北方民族大学 地址 750021 宁夏回族自治区银川市西夏 区文昌街204号 (72)发明人 敏世雄 李雯静 王芳 张正国 (74)专利代理机构 宁夏三源鑫知识产权代理事 务所(普通合伙) 64105 专利代理师 孙彦虎 (51)Int.Cl. C25B 11/031 (2021.01) C25B 11/075 (2021.01) C01B 32/05 (2017.01) C25B 1/04 (2021.01) B82Y 30/00 (2011.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图4页 (54)发明名称 磷化钴纳米颗粒修饰的多孔碳膜电极的制 备方法及其应用 (57)摘要 本发明提供了一种磷化钴纳米颗粒修饰的 多孔碳膜电极的制备方法及其应用,属于电催化 剂技术领域,所述磷化钴纳米颗粒修饰的多孔碳 膜电极的制备方法是一种绿色、可扩展的制备方 法,首先以低成本生物质大豆为天然碳、氮、磷来 源,通过将传统的冷冻豆腐制备方法应用到过渡 金属磷化物(TMPs)中,制备出前所未有的“Co豆 腐”,将Co豆腐经煅烧后即可在豆腐基碳
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