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发明

防止垂直方向间隙粘连的MEMS器件及制造方法

2023-05-15 11:26:50 发布于四川 1
  • 申请专利号：CN202210371604.1
  • 公开（公告）日：2024-08-13
  • 公开（公告）号：CN114715833A
  • 申请人：中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心
摘要：本发明公开了一种防止垂直方向间隙粘连的MEMS器件及制造方法，包括顺次相连的下层晶圆结构、可动晶圆结构和上层晶圆结构；所述下层晶圆结构包括相连的硅衬底和绝缘层，所述绝缘层上靠近可动晶圆结构的一侧设有第一锚点和检测电极；所述第一锚点通过弹性梁与所述可动晶圆结构相连；所述检测电极与所述可动晶圆结构之间设有间隙，且刻蚀有第一加工槽，第一加工槽内设有第一微支撑结构，所述第一微支撑的高度等于第一锚点的高度；所述可动晶圆结构上与第一微支撑结构相对应的位置处均刻蚀有贯通式的第二加工槽，用于实现第一微支撑结构与可动晶圆结构的分离。本发明能够有效防止晶圆键合过程中垂直方向微小间隙粘连。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114715833 A (43)申请公布日 2022.07.08 (21)申请号 202210371604.1 B81C 1/00 (2006.01) G01P 15/125 (2006.01) (22)申请日 2022.04.11 (71)申请人 中国兵器工业集团第二一四研究所 苏州研发中心 地址 215163 江苏省苏州市高新区龙山路 89 (72)发明人 凤瑞　黄斌　包星辰　何凯旋　 商兴莲　周铭　周六辉　 (74)专利代理机构 南京纵横知识产权代理有限 公司 32224 专利代理师 俞翠华 (51)Int.Cl. B81B 3/00 (2006.01) B81B 7/00 (2006.01) B81B 7/02 (2006.01) 权利要求书2页 说明书7页 附图3页 (54)发明名称 防止垂直方向间隙粘连的MEMS器件及制造 方法 (57)摘要 本发明公开了一种防止垂直方向间隙粘连 的MEMS器件及制造方法，包括顺次相连的下层晶 圆结构、可动晶圆结构和上层晶圆结构；所述下 层晶圆结构包括相连的硅衬底和绝缘层，所述绝 缘层上靠近可动晶圆结构的一侧设有第一锚点 和检测电极；所述第一锚点通过弹性梁与所述可 动晶圆结构相连；所述

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