NAND闪存的版图结构和NAND闪存芯片2024

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 108665927 A (43)申请公布日 2018.10.16 (21)申请号 201710212477.X (22)申请日 2017.04.01 (71)申请人 北京兆易创新科技股份有限公司 地址 100083 北京市海淀区学院路30号科 大天工大厦A座12层 (72)发明人 苏志强　张现聚　李建新　纪艳丽　 (74)专利代理机构 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人 孟金喆　胡彬 (51)Int.Cl. G11C 16/08(2006.01) 权利要求书1页 说明书3页 附图2页 (54)发明名称 NAND闪存的版图结构和NAND闪存芯片 (57)摘要 本发明实施例公开了一种NAND闪存的版图 结构和NAND闪存芯片。NAND闪存包括数据块阵 列、X方向的选通电路、地址译码与高压转换电路 以及可控电压源，数据块阵列中包含依次排列的 2N个数据块；数据块阵列选通电路分别分布在数 据块单元两侧，用于控制数据块阵列中的偶数据 块或奇数据块；N个地址译码与高压转换电路位 于数据块阵列旁选通电路的外侧中的一侧；每个 地址译码与高压转换电路产生的高压信号和可 控电压源产生的信号共同控制与地址译码与高 压转换电路相邻的选通电路，以及所述高压信号 在版图上横穿数据块阵列控制与地址译码与高 A 压转换电路不相邻的选通电路。本发明