一种基于MEMS硅基加热片的雾化芯结构及其制造方法
- 申请专利号:CN202111245466.4
- 公开(公告)日:2025-05-13
- 公开(公告)号:CN113940459A
- 申请人:美满芯盛(杭州)微电子有限公司
专利内容
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113940459 A (43)申请公布日 2022.01.18 (21)申请号 202111245466.4 A24F 40/70 (2020.01) (22)申请日 2021.10.25 (71)申请人 美满芯盛(杭州)微电子有限公司 地址 311231 浙江省杭州市萧山区经济技 术开发区桥南春晖路1号-8 (自主分 割) (72)发明人 李文翔 王敏锐 (74)专利代理机构 苏州瑞光知识产权代理事务 所 (普通合伙) 32359 代理人 罗磊 (51) Int.C l. A24F 40/46 (2020.01) A24F 40/10 (2020.01) A24F 40/40 (2020.01) A24F 40/42 (2020.01) 权利要求书1页 说明书3页 附图3页 (54)发明名称 一种基于MEMS硅基加热片的雾化芯结构及 其制造方法 (57)摘要 本发明公开了一种基于MEMS硅基加热片的 雾化芯结构,包括:硅基加热片和多孔陶瓷芯,硅 基加热片包括加热丝和硅基衬底,加热丝制作在 硅基衬底表面,硅基衬底上设置有阵列排布的雾 化微孔,硅基衬底固定安装在多孔陶瓷芯上,雾 化微孔连通多孔陶瓷芯。本发明还公开了一种基 于MEMS硅基加热片的雾化芯结构的制造方法。本 发明相较于现有技术,避免雾化芯漏液,降低加
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