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发明
一种基于反应烧结实现低温制备多孔钨阴极材料的方法2024
2024-09-28 12:36:50
发布于四川
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- 申请专利号：CN202410738289.0
- 公开（公告）日：2024-09-27
- 公开（公告）号：CN118699368A
- 申请人：合肥工业大学
摘要：一种基于反应烧结实现低温制备多孔钨阴极材料的方法，涉及多孔钨阴极材料制备技术领域。首先将钨粉通过球磨氧化或空气炉加热氧化，在粉末颗粒表面生成一层氧化层；将预氧化后的钨粉、低熔点相粉末混合，球磨均匀得到前驱体粉末；装入不锈钢模具中，采用冷等静压得到复合块体；最后将复合块体放入管式炉中，在氢气气氛中烧结得到多孔钨阴极材料。通过球磨混合铝能够均匀的包裹在粉末的氧化层上，促进氧化还原反应的充分进行。在管式炉烧结过程中多余的氧化钨层也被还原，钨粉的氧化层恰好全部反应，反应产物Al2O3正好可以作为后续阴极浸盐处理。本发明使得烧结能够在较低温下进行，避免了钨在高温下氧化或孔隙率低导致性能无法达到要求等。
专利内容
一种基于反应烧结实现低温制备多孔钨阴极材料的方法，涉及多孔钨阴极材料制备技术领域。首先将钨粉通过球磨氧化或空气炉加热氧化，在粉末颗粒表面生成一层氧化层；将预氧化后的钨粉、低熔点相粉末混合，球磨均匀得到前驱体粉末；装入不锈钢模具中，采用冷等静压得到复合块体；最后将复合块体放入管式炉中，在氢气气氛中烧结得到多孔钨阴极材料。通过球磨混合铝能够均匀的包裹在粉末的氧化层上，促进氧化还原反应的充分进行。在管式炉烧结过程中多余的氧化钨层也被还原，钨粉的氧化层恰好全部反应，反应产物Al2O3正好可以作为后续阴极浸盐处理。本发明使得烧结能够在较低温下进行，避免了钨在高温下氧化或孔隙率低导致性能无法达到要求等。B22F3/11(2006.01);B22F1/145(2022.01);B22F9/04(2006.01);B22F1/17(2022.01);B22F3/04(2006.01)
