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发明

一种用于晶体抛光的多孔阻尼布及其制备工艺

2023-09-14 07:00:06 发布于四川 8
  • 申请专利号：CN202210554778.1
  • 公开（公告）日：2023-09-12
  • 公开（公告）号：CN115008852A
  • 申请人：安徽禾臣新材料有限公司
摘要：本发明公开了一种用于晶体抛光的多孔阻尼布及其制备工艺，属于晶体抛光技术领域，包括阻尼布面层、热熔胶粘接层和阻尼布基层，所述阻尼布面层的底部设置有热熔胶粘接层，所述热熔胶粘接层的底部设置有阻尼布基层，所述阻尼布面层上设置有均匀分布的抛光微孔，抛光微孔的直径为30‑38μm。为了解决硬度和耐磨性差且使用寿命低下的问题，本发明的用于晶体抛光的多孔阻尼布及其制备工艺，采用环氧树脂、聚四氟乙烯、石墨、Cr、分散剂和催化剂制备阻尼布面层，且将阻尼布面层、热熔胶粘接层和阻尼布基层热压制得多孔阻尼布，采用该种方式制备的多孔阻尼布可提高多孔阻尼布的硬度及耐磨性，提升抛光效果，延长多孔阻尼布的使用寿命。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115008852 A (43)申请公布日 2022.09.06 (21)申请号 202210554778.1 B32B 27/06 (2006.01) B32B 27/20 (2006.01) (22)申请日 2022.05.20 B32B 37/06 (2006.01) (71)申请人 安徽禾臣新材料有限公司 B32B 37/10 (2006.01) 地址 238200 安徽省马鞍山市和县经济开 C08L 63/00 (2006.01) 发区姥下河东路标准化厂房1号厂房 C08L 27/18 (2006.01) (72)发明人 李加海　杨慧明　李元祥　 C08K 3/04 (2006.01) C08K 3/08 (2006.01) (74)专利代理机构 北京和联顺知识产权代理有 C08J 5/18 (2006.01) 限公司 11621

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