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对准标记及用于形成对准标记的方法

2023-06-02 13:43:03 发布于四川 1
  • 申请专利号:CN202010908840.3
  • 公开(公告)日:2024-09-06
  • 公开(公告)号:CN112578648A
  • 申请人:台湾积体电路制造股份有限公司
摘要:提供对准标记及用于形成对准标记的方法。用于形成对准标记的方法为无光刻工艺并且包含以下操作。提供激光束。将激光束划分成彼此隔开的多个激光束。将多个激光束塑形成多个图案化光束,使得多个图案化光束塑形为具有对应于对准标记的图案。将多个图案化光束投影到半导体晶片上。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112578648 A (43)申请公布日 2021.03.30 (21)申请号 202010908840.3 (22)申请日 2020.09.02 (30)优先权数据 62/906,747 2019.09.27 US 16/805,837 2020.03.02 US (71)申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 地址 中国台湾新竹科学工业园区新竹市力 行六路八号 (72)发明人 刘彦岑 于正豪 黄正义 石兆立  杨志深  (74)专利代理机构 南京正联知识产权代理有限 公司 32243 代理人 王素琴 (51)Int.Cl. G03F 9/00 (2006.01) 权利要求书1页 说明书8页 附图7页 (54)发明名称 对准标记及用于形成对准标记的方法 (57)摘要 提供对准标记及用于形成对准标记的方法。 用于形成对准标记的方法为无光刻工艺并且包 含以下操作。提供激光束。将激光束划分成彼此 隔开的多个激光束。将多个激光束塑形成多个图 案化光束,使得多个图案化光束塑形为具有对应 于对准标记的图案。将多个图案化光束投影到半 导体晶片上。 A 8 4 6 8 7 5 2 1 1 N C CN 112578648 A 权 利 要 求 书 1/1

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