一种控制碳化硼长晶环境的制备系统2025

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117023588 A (43)申请公布日 2023.11.10 (21)申请号 202311013274.X (22)申请日 2023.08.10 (71)申请人 郑州嵩山硼业科技有限公司 地址 452470 河南省郑州市登封市大冶镇 王家庄 (72)发明人 王基峰　耿伟锋　王晓艳　王芳　 贾宗元　 (74)专利代理机构 郑州浩翔专利代理事务所 (特殊普通合伙) 41149 专利代理师 边延松 (51)Int.Cl. C01B 32/991 (2017.01) 权利要求书5页 说明书9页 附图2页 (54)发明名称 一种控制碳化硼长晶环境的制备系统 (57)摘要 本发明提出了一种控制碳化硼长晶环境的 制备系统，通过快速碳热还原将前体转运到反应 温度的反应炉中，在反应温度下将前体输送到长 晶反应单元的高温电弧炉中，气相氧化硼和固体 碳在1600℃以上发生反应。进入热区后，通过控 3 5 制使前体具有极高的加热速率 (10 ‑l0 K/s)达 到反应温度，硼氧化物迅速升华并与密接混合的 碳源反应生成碳化硼晶体。一氧化碳和过量的硼 氧化物气体从排气管中离开高温电弧炉。本发明 可实现在较低的温度和时间下制备出纯度高、粒 度小、含有高密度孪晶的碳化硼粉末，相比传统 的碳热还原法具有明显的优势。此外，本发明制 A 备的碳化硼晶体还可以在更低的温度和较短的