一种存储芯片的修复方法及装置、计算机存储介质2024

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117912529 A (43)申请公布日 2024.04.19 (21)申请号 202410087742.6 (22)申请日 2024.01.22 (71)申请人 普冉半导体（上海）股份有限公司 地址 201210 上海市浦东新区中国(上海) 自由贸易试验区申江路5005弄1号9层 整层（实际楼层8楼） (72)发明人 倪文彬　 (74)专利代理机构 上海硕力知识产权代理事务 所(普通合伙) 31251 专利代理师 童素珠 (51)Int.Cl. G11C 29/00 (2006.01) G11C 5/02 (2006.01) G11C 5/00 (2006.01) 权利要求书2页 说明书6页 附图4页 (54)发明名称 一种存储芯片的修复方法及装置、计算机存 储介质 (57)摘要 本申请公开了一种存储芯片修复的方法及 装置、计算机存储介质，所述存储芯片包括存储 阵列和冗余阵列，所述存储阵列包括多个存储单 元，所述冗余阵列包括多个冗余单元，所述方法 包括：当所述存储阵列中存在第一存储单元时， 从所述冗余阵列中选取若干所述冗余单元作为 修复单元；采用所述修复单元对目标单元进行替 换修复；其中，所述目标单元包括第一存储单元 和第二存储单元，所述第一存储单元包括失效的 存储单元，所述第二存储单元包括所述存储阵列 中与所述第一存储单元满足预设位置关系的其 A 他存储单元。由此，提前对可能