一种减少曝光累积误差的方法

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114185252 A (43)申请公布日 2022.03.15 (21)申请号 202111484872.6 (22)申请日 2021.12.07 (71)申请人 中山大学南昌研究院 地址 330000 江西省南昌市南昌高新技术 开发区艾溪湖北路269号 (72)发明人 龚跃武　张晨艳　官盛果　杨山清　 涂良成　 (74)专利代理机构 南昌合达信知识产权代理事 务所(普通合伙) 36142 代理人 刘丹 (51)Int.Cl. G03F 9/00 (2006.01) G03F 7/20 (2006.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图1页 (54)发明名称 一种减少曝光累积误差的方法 (57)摘要 本发明属于半导体芯片微纳加工制造技术 领域，具体涉及一种减少曝光累积误差的方法， 包括如下步骤：(1)在晶圆片的正面刻蚀刻度； (2)在晶圆片的正面形成标记，首次曝光后记录 标记的实际位置坐标(X1，Y1)与理论值坐标(X0， Y0)进行比对，并计算相应的差值(X1 ‑X0，Y1 ‑ Y0)；(3)针对上述差值，在第二次曝光时进行相 应的补偿，从而减少每次的累积误差。本发明通 过在晶圆片的平边制备一个刻度用于多次曝光 位置的调整，减少曝光制程多次累积误差；明显 减少曝光制程累积误差，提升产品品质。 A 2 5 2 5 8 1 4 1 1 N C CN