一种采用等离子体刻蚀制备原子力显微镜探针阶梯型基底的方法

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(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112158794 A (43)申请公布日 2021.01.01 (21)申请号 202010921867.6 (22)申请日 2020.09.04 (71)申请人 杭州探真纳米科技有限公司 地址 310000 浙江省杭州市拱墅区学院北 路50号三宝文化创意产业园A栋702室 (72)发明人 崔波　朱晨旭　朱效立　 (74)专利代理机构 杭州中港知识产权代理有限 公司 33353 代理人 张晓红 (51)Int.Cl. B81C 1/00 (2006.01) G01Q 60/24 (2010.01) 权利要求书2页 说明书5页 附图3页 (54)发明名称 一种采用等离子体刻蚀制备原子力显微镜 探针阶梯型基底的方法 (57)摘要 一种采用等离子体刻蚀制备原子力显微镜 探针阶梯型基底的方法，属于微纳机械传感器技 术领域。包括以下步骤：1）选用SOI晶片作为原 料；2）掩模旋涂完成后，利用光刻机进行曝光，曝 光完成后在室温下将样品于专用显影剂下显影， 然后将样品坚膜；3）分四步进行反应离子刻蚀。 上述一种采用等离子体刻蚀制备原子力显微镜 探针阶梯型基底的方法，利用刻蚀图形的不同大 小得到不同刻蚀深度，从而通过等离子体刻蚀制 造阶梯型结构，实现了等离子体刻蚀的三阶梯 AFM探针基底，并且可通过调节曝光图形矩形阵 A 列的边长调控阶梯深度；具有此种阶梯型基底的 4 AFM探针不会阻挡反射激光的光路。 9 7