发明

一种无引线封装的压力传感器2023

2023-09-04 07:10:55 发布于四川 1
  • 申请专利号:CN202310661674.5
  • 公开(公告)日:2023-09-01
  • 公开(公告)号:CN116675176A
  • 申请人:西安思微传感科技有限公司
摘要:本发明公开了一种无引线封装的压力传感器,包括上下两层结构形成的压力芯片,上层结构为硅层,在硅层上表面制作有传感器电极,所述传感器电极的外侧设有用于穿过封装电极的硅通孔;下层结构为玻璃层,所述玻璃层与硅层对应的位置也设置有玻璃通孔,还包括基座,所述基座包括传感器电极、玻璃基座以及外壳,所述传感器电极穿过玻璃通孔和硅通孔且略高出压力芯片表面,所述压力芯片表面设置有电极连接部。本发明设计了一种适合无引线封装的特殊结构压力芯片;通过硅层、玻璃层组成压力芯片主体机构,并对应设计便于传感器电极通过的硅通孔和玻璃通孔,仅通过涂敷导电银浆或导电浆料的方式即可实现电气连接,可以较为容易的实现无引线封装压力传感器。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116675176 A (43)申请公布日 2023.09.01 (21)申请号 202310661674.5 (22)申请日 2023.06.06 (71)申请人 西安思微传感科技有限公司 地址 710065 陕西省西安市高新区团结南 路35号研发中心6层618室 (72)发明人 赵虎 刘泽庆 王淞立 董奎  徐林鹏  (74)专利代理机构 北京众达德权知识产权代理 有限公司 11570 专利代理师 代春茹 (51)Int.Cl. B81B 7/02 (2006.01) B81B 7/00 (2006.01) G01L 1/16 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图2页 (54)发明名称 一种无引线封装的压力传感器 (57)摘要 本发明公开了一种无引线封装的压力传感 器,包括上下两层结构形成的压力芯片,上层结 构为硅层,在硅层上表面制作有传感器电极,所 述传感器电极的外侧设有用于穿过封装电极的 硅通孔 ;下层结构为玻璃层,所述玻璃层与硅层 对应的位置也设置有玻璃通孔,还包括基座,所 述基座包括传感器电极、玻璃基座以及外壳 ,所 述传感器电极穿过玻璃通孔和硅通孔且略高出 压力芯片表面,所述压力芯片表面设置有电极连 接部。本发明设计了一种适合无引线封装的特殊 结构压力芯片;通过硅层、玻璃层组成压力芯片 主体机构,并对应设计便于传感器电极通过的硅 A 通孔和玻璃通孔

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