一种MOCVD反应腔的清洁系统及清洁方法2024

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117772714 A (43)申请公布日 2024.03.29 (21)申请号 202410044008.1 (22)申请日 2024.01.12 (71)申请人 南昌大学 地址 330038 江西省南昌市红谷滩区学府 大道999号 申请人 南昌硅基半导体科技有限公司　 南昌实验室 (72)发明人 罗成　任毅博　徐龙权　王珍　 邓炳兰　 (51)Int.Cl. B08B 7/00 (2006.01) B08B 9/08 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图4页 (54)发明名称 一种MOCVD反应腔的清洁系统及清洁方法 (57)摘要 本发明公开了一种MOCVD反应腔的清洁系统 及清洁方法。所述清洁系统包括激光装置、清洁 装置。其中，激光装置安装于MOCVD反应腔的侧 面，且激光装置的轴线与MOCVD反应腔的法线方 向的夹角为α ；清洁装置偏置在MOCVD反应腔的 下方，清洁装置的轴线和MOCVD反应腔的轴线距 离为D 。激光装置发射的激光束经清洁装置调整 1 路径后到达MOCVD反应腔的内表面，实现对MOCVD 反应腔的内腔表面的清洁。通过设置激光束的能 量密度，可以确保MOCVD反应腔的清理效果又不 会破坏MOCVD反应腔。清洁装置在清洁过程中持 续吸收飞溅颗粒，防止飞溅颗粒扩散到其他区 A 域。该清洁系统具有非接触、高效率、灵活性高等 4 优点。 1 7 2