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PCT发明

热辅助磁记录介质用溅射靶

2023-05-12 12:01:11 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202080074953.6
  • 公开（公告）日：2024-10-29
  • 公开（公告）号：CN114600190A
  • 申请人：田中贵金属工业株式会社|||国立大学法人东北大学
摘要：本发明提供用于成膜出使构成单轴磁各向异性提高、热稳定性和SNR(信噪比)提高的热辅助磁记录介质的FePt磁性粒子被氧化物孤立的粒状结构磁性薄膜的溅射靶。一种热辅助磁记录介质用溅射靶，其是以FePt合金和非磁性材料为主要成分的热辅助磁记录介质用溅射靶，其特征在于，该非磁性材料是熔点为800℃以上且1100℃以下的氧化物。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114600190 A (43)申请公布日 2022.06.07 (21)申请号 202080074953.6 (74)专利代理机构 中原信达知识产权代理有限 责任公司 11219 (22)申请日 2020.10.27 专利代理师 盛曼　金龙河 (30)优先权数据 (51)Int.Cl. 2019-199915 2019.11.01 JP G11B 5/65 (2006.01) (85)PCT国际申请进入国家阶段日 G11B 5/851 (2006.01) 2022.04.26 G11B 5/02 (2006.01) (86)PCT国际申请的申请数据 C23C 14/08 (2006.01) PCT/JP2020/040215 2020.10.27 C23C 14/14 (2006.01) C23C 14/34 (2006.01) (87)PCT国际申请的公布

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