用于MEMS惯性传感器的热电制冷基板结构及其制造方法

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116639644 A (43)申请公布日 2023.08.25 (21)申请号 202310563938.3 (22)申请日 2023.05.18 (71)申请人 南京理工大学 地址 210094 江苏省南京市孝陵卫200号 (72)发明人 王振军　苏岩　姜波　张晶　周同　 (74)专利代理机构 南京理工大学专利中心 32203 专利代理师 汪清 (51)Int.Cl. B81B 7/02 (2006.01) B81B 7/00 (2006.01) B81C 1/00 (2006.01) G01C 21/16 (2006.01) G01C 25/00 (2006.01) 权利要求书2页 说明书4页 附图2页 (54)发明名称 用于MEMS惯性传感器的热电制冷基板结构 及其制造方法 (57)摘要 本发明公开了一种用于MEMS惯性传感器的 热电制冷基板结构及其制造方法，首先将刻有深 槽的硅晶圆与玻璃晶圆键合，通过玻璃回流工艺 填充深槽，并进行双面减薄抛光形成硅衬底内嵌 玻璃环的结构，然后在基板外围加工面内热电制 冷元件，最后在基板正面刻浅槽、背面刻深槽。面 内热电制冷元件根据电流方向不同分为加热和 制冷两种模式，实现恒温控制系统的室温工作点 设置。相比单加热模式 ，温控系统的功耗降低， MEMS惯性传感器的品质因数提升。内嵌玻璃环位 于热电制冷元件热端与冷端之间，有效提升了热 A 电制冷元件的加