发明

一种电子束冰刻工艺的光刻形貌计算方法

2023-05-18 13:01:13 发布于四川 4
  • 申请专利号:CN202210369502.6
  • 公开(公告)日:2024-09-10
  • 公开(公告)号:CN114859668A
  • 申请人:复旦大学
摘要:本发明属于电子束光刻技术领域,具体为一种电子束冰刻工艺的光刻形貌计算方法。本发明以GenISys公司提供的TRACER、BEAMER和LAB仿真软件为平台进行电子束冰刻工艺光刻胶形貌的计算,基于实验光刻版图、初始电子束能量和电子数量、电子束斑尺寸、衬底材料和厚度、光刻胶材料、厚度和对比度实验数据的情况下,计算冰刻工艺中电子束光刻胶的光刻形貌,包括极低温度下的水冰、苯甲醚、醇类、烷烃类、其他无需溶液显影工艺的冰光刻胶和在仿真中无需显影工艺的电子束光刻胶。本发明可为电子束冰刻工艺的光刻形貌预测提供参考,在实验制备层面为冰刻工艺提供关键的、必不可少的理论指导,具有针对性强、有效缩短实验周期、降低实验成本的优点。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114859668 A (43)申请公布日 2022.08.05 (21)申请号 202210369502.6 (22)申请日 2022.04.08 (71)申请人 复旦大学 地址 200433 上海市杨浦区邯郸路220号 (72)发明人 刘韬 陈宜方 陆冰睿 仇旻  童徐杰 解钰莹  (74)专利代理机构 上海正旦专利代理有限公司 31200 专利代理师 陆飞 陆尤 (51)Int.Cl. G03F 7/20 (2006.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图6页 (54)发明名称 一种电子束冰刻工艺的光刻形貌计算方法 (57)摘要 本发明属于电子束光刻技术领域,具体为一 种电子束冰刻工艺的光刻形貌计算方法。本发明 以GenISys公司提供的TRACER、BEAMER和LAB仿真 软件为平台进行电子束冰刻工艺光刻胶形貌的 计算,基于实验光刻版图、初始电子束能量和电 子数量、电子束斑尺寸、衬底材料和厚度、光刻胶 材料、厚度和对比度实验数据的情况下,计算冰 刻工艺中电子束光刻胶的光刻形貌,包括极低温 度下的水冰、苯甲醚、醇类、烷烃类、其他无需溶 液显影工艺的冰光刻胶和在仿真中无需显影工 艺的电子束光刻胶。本发明可为电子束冰刻工艺 的光刻形貌预测提供参考,在实验制备层面为冰 A 刻工艺提供关键的、必不可少的理论指导,具有 8 针对性强、有效缩短实验周期、降低实验成本的 6 6 9 优点。 5 8 4 1 1

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