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MEMS器件、包括MEMS器件的组件以及用于操作MEMS器件的方法

2023-05-15 11:15:57 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN201980102175.4
  • 公开(公告)日:2024-11-05
  • 公开(公告)号:CN114728781A
  • 申请人:弗劳恩霍夫应用研究促进协会
摘要:提供了一种MEMS器件,MEMS器件包括层堆叠,层堆叠具有形成在第一层与第三层之间的至少一个第二层。在第二层中形成至少一个第一腔。MEMS器件还包括可横向偏转元件,可横向偏转元件具有自由端部以及连接到第一腔的侧壁的端部。此外,MEMS器件包括无源元件,无源元件刚性地拴系至可横向偏转元件的自由端部,以跟随可横向偏转元件的移动。可横向偏转元件和无源元件将第一腔分成第一子腔和第二子腔。第一子腔经由至少一个第一开口与MEMS器件的环境流体接触。此外,第二子腔经由至少一个第二开口与MEMS器件的环境流体接触。至少一个第一开口形成在第一层和第三层的、与至少一个第二开口不同的层中。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114728781 A (43)申请公布日 2022.07.08 (21)申请号 201980102175.4 (51)Int.Cl. B81B 3/00 (2006.01) (22)申请日 2019.11.13 (85)PCT国际申请进入国家阶段日 2022.05.11 (86)PCT国际申请的申请数据 PCT/EP2019/081217 2019.11.13 (87)PCT国际申请的公布数据 WO2021/093950 DE 2021.05.20 (71)申请人 弗劳恩霍夫应用研究促进协会 地址 德国慕尼黑 (72)发明人 伯特 ·凯撒  (74)专利代理机构 北京高沃律师事务所 11569 专利代理师 张德才 权利要求书3页 说明书11页 附图10页 (54)发明名称 MEMS器件、包括MEMS器件的组件以及用于操 作MEMS器件的方法 (57)摘要 提供了一种MEMS器件,MEMS器件包括层堆 叠,层堆叠具有形成在第一层与第三层之间的至 少一个第二层。在第二层中形成至少一个第一 腔。MEMS器件还包括可横向偏转元件,可横向偏 转元件具有自由端部以及连接到第一腔的侧壁 的端部。此外,MEMS器件包括无源元件,无源元件 刚性地拴系至可横向偏转元件的自由端部,以跟 随可横向偏转元件的移动。可横向偏转元件和无 源元

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