微机电系统装置及其形成方法及集成芯片

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112441553 A (43)申请公布日 2021.03.05 (21)申请号 201911174299.1 (22)申请日 2019.11.26 (30)优先权数据 16/558,539 2019.09.03 US (71)申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 地址 中国台湾新竹科学工业园区新竹市力 行六路八号 (72)发明人 胡凡　郑创仁　陈相甫　戴文川　 (74)专利代理机构 南京正联知识产权代理有限 公司 32243 代理人 顾伯兴 (51)Int.Cl. B81B 7/04(2006.01) B81C 1/00(2006.01) 权利要求书2页 说明书16页 附图14页 (54)发明名称 微机电系统装置及其形成方法及集成芯片 (57)摘要 本公开的各种实施例涉及一种微机电系统 (MEMS)装置及其形成方法及集成芯片。所述微机 电系统装置包括第一介电结构，所述第一介电结 构设置在第一半导体衬底之上，其中第一介电结 构至少局部地界定空腔。第二半导体衬底设置在 第一介电结构之上且包括可移动质量体，其中可 移动质量体的相对的侧壁设置在空腔的相对的 侧壁之间。第一压电防粘连结构设置在可移动质 量体与第一介电结构之间，其中第一压电防粘连 结构包括第一压电结构及设置在第一压电结构 与第一介电结构之间的第一电极。