一种芯片光刻胶剥离液、其制备方法及用途2024

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117031895 A (43)申请公布日 2023.11.10 (21)申请号 202311035819.7 (22)申请日 2023.08.17 (71)申请人 浙江奥首材料科技有限公司 地址 324012 浙江省衢州市杜鹃路36号 (72)发明人 侯军　任浩楠　吕晶　申海艳　 隋新　赖鑫　 (74)专利代理机构 宁波知坤专利代理事务所 (特殊普通合伙) 33312 专利代理师 涂萧恺 (51)Int.Cl. G03F 7/42 (2006.01) 权利要求书2页 说明书7页 附图2页 (54)发明名称 一种芯片光刻胶剥离液、其制备方法及用途 (57)摘要 本发明涉及一种芯片光刻胶剥离液，按照重 量份计算，包括如下组分 ：氨基功能化离子液体 0.5‑5份；胺类化合物5‑50份；酰胺类溶剂20‑45 份；去离子水15‑40份。本发明使用氨基功能化的 离子液体，离子液体由于其含有阳离子，阳离子 会由于其静电作用在金属的阴极区产生物理吸 附，阻止Al在碱性溶液中析氢腐蚀；同时氨基功 能化离子液体本身结构含有N原子，可以通过孤 对电子与金属表面链接，形成保护膜防止Al被腐 蚀。本发明的光刻胶剥离液使用了三种胺类化合 物，在提供碱性的同时，其本身含有较多氨基，氨 基同样可以在金属表面成膜，降低碱性条件下对 A Al电极的腐蚀，同时三种胺类化合物复配还可以 5 在保证去胶能力的同时，增加光刻胶剥离液的寿 9 8 1 命。 3