一种双发热体结构的大尺寸晶体生长装置和方法

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(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114318496 A (43)申请公布日 2022.04.12 (21)申请号 202111645254.5 (22)申请日 2021.12.29 (71)申请人 南京光宝晶体科技有限公司 地址 211299 江苏省南京市溧水区东屏街 道金港路22号 (72)发明人 华伟　陈伟　潘国庆　董永军　 (74)专利代理机构 南京禾易知识产权代理有限 公司 32320 代理人 曹锐涛 (51)Int.Cl. C30B 11/00 (2006.01) C30B 27/00 (2006.01) 权利要求书2页 说明书5页 附图2页 (54)发明名称 一种双发热体结构的大尺寸晶体生长装置 和方法 (57)摘要 本发明提供一种双发热体结构的大尺寸晶 体生长装置，包括用于生长大尺寸晶体的晶体生 长室、保温以形成温场的温场结构以及为大尺寸 晶体生长提供真空生长环境的炉膛结构，温场结 构由至少一保温层层叠结合且密闭形成，每个保 温层由复数子保温层拼接而成，保温层的中心沿 与其径向相对平行方向设置有发热体组件，发热 体组件贯穿保温层；晶体生长室基于驱动机构沿 温场结构轴向方向发生位移。本发明通过由内外 两只发热体构建的双发热体结构，分别在发热体 的外侧、顶部和底部分别安装有钨钼反射屏或保 A 温层的方式，使得整个温场区域形成一个温区， 6 构建出晶体生长的核心因素，可以得到结晶高度 9 4 8 更高、品质更稳定的晶体