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发明

基于MEMS加工工艺在封装基板表面长铜柱的方法

2023-05-20 11:03:05 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202210484915.9
  • 公开（公告）日：2024-11-08
  • 公开（公告）号：CN114906798A
  • 申请人：强一半导体（苏州）股份有限公司
摘要：本发明涉及一种基于MEMS加工工艺在封装基板表面长铜柱的方法，包括以下步骤；制备玻璃MASK；根据封装基板制作玻璃MASK，在封装基板的金属PAD的地方做透光处理；对封装基板进行有机清洗；在金属PAD上制作金属种子层；制作光刻胶膜，采用匀胶、光刻、显影的方式制作光刻胶膜；步骤S5,对带有光刻胶膜的金属PAD进行烘烤和Plasma处理；电镀铜；有机清洗去除基板表面的光刻胶；对金属种子层进行离子束刻蚀；上PI胶，进行PI胶匀胶和固化操作；采用CMP化学机械抛光工艺，露出金属PAD。本发明提供了一种基于MEMS加工工艺在封装基板表面长铜柱的方法，将低于阻焊层的金属PAD长高，并凸出阻焊层，提高了探针卡组装的成功率。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114906798 A (43)申请公布日 2022.08.16 (21)申请号 202210484915.9 C25D 5/02 (2006.01) C25D 7/00 (2006.01) (22)申请日 2022.05.06 (71)申请人 强一半导体（苏州）有限公司 地址 215000 江苏省苏州市工业园区东长 路18号39幢2楼 (72)发明人 侯克玉　于海超　 (74)专利代理机构 南京纵横知识产权代理有限 公司 32224 专利代理师 董成 (51)Int.Cl. B81C 1/00 (2006.01) C23C 14/14 (2006.01) C23C 14/30 (2006.01) C23C 28/02 (2006.01) C25D 3/38 (2006.01) 权利要求书2页 说明书5页 附图3页 (54)发明名称 基于MEMS加工工艺在封装基板表面长铜柱 的方法 (57)摘要 本发明涉及一种基于MEMS加工工艺在封装 基板表面长铜柱的方法，包括以下步骤；制备玻 璃MASK；根据封装基板制作玻璃MASK，在封装基 板的金属PAD的地方做透光处理；对封装基板进 行有机清洗；在金属PAD上制作金属种子层；制作 光刻胶膜，采用匀胶、光刻、显

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